Samsung разработал прототип чипа на техпроцессе 3 нм

Корпорация Samsung объявила о разработке микропроцессорной архитектуры нового поколения. Благодаря ей удалось снизить расстояние между микросхемами для создания более производительных и энергоэффективных процессоров.

Инженеры продемонстрировали платформу мультимостового канального полевого транзистора (MBCFET) с использованием нанолистов вместо нанопроволоки. Это позволило суммировать преимущества технологий FinFET и GAAFET и снять проблемы с электростатикой.

Фактически, набор инструментов для создания процессоров на базе техпроцесса 3 нм уже готов. Однако «Самсунг» пока называет это ранним альфа-тестом v0,1. Потенциально устройства, собранные на этой базе, лучше работают в циклах вкл/выкл при рабочем напряжении 0,75 В.

Пользователи пока гадают, почему южнокорейский гигант пропустил 5 нм, «прыгнув» сразу с 7 до 3 нм. Впрочем, до старта коммерческой эксплуатации ещё очень далеко и Samsung, скорее всего, пойдёт по пути постепенного уменьшения техпроцесса до 6-5, а затем и до 3 нм.

Telegram канал @bixbit_new Подписаться на новости
Мы на YouTube